信息概要

飞行时间二次离子质谱氧测试是一种高精度的表面分析技术，主要用于材料中氧元素的定性和定量分析。该技术通过二次离子质谱（TOF-SIMS）结合飞行时间分析，能够检测极低浓度的氧元素分布，广泛应用于半导体、新能源、生物材料等领域。检测的重要性在于氧含量对材料性能（如导电性、耐腐蚀性、催化活性等）具有显著影响，精准的氧测试可优化生产工艺并提升产品质量。

检测项目

氧元素含量，氧同位素比例，氧分布均匀性，表面氧浓度，体相氧浓度，氧化学态分析，氧扩散深度，氧结合能，氧杂质检测，氧缺陷分析，氧吸附量，氧解吸能，氧迁移率，氧掺杂浓度，氧界面扩散，氧热稳定性，氧电化学活性，氧表面能，氧腐蚀敏感性，氧与基体相互作用

检测范围

半导体材料，光伏硅片，锂离子电池正负极材料，燃料电池催化剂，金属氧化物薄膜，陶瓷材料，高分子聚合物，生物医用涂层，纳米材料，磁性材料，超导材料，玻璃材料，复合材料，合金材料，催化剂载体，电子封装材料，光学薄膜，防腐涂层，传感器材料，环境污染物

检测方法

飞行时间二次离子质谱法（TOF-SIMS）：通过脉冲离子束溅射样品表面，检测二次离子的质荷比和飞行时间。

深度剖析：结合离子刻蚀技术分析氧元素沿深度方向的分布。

静态SIMS：低剂量离子束避免表面损伤，用于化学态分析。

动态SIMS：高灵敏度定量分析氧同位素。

成像SIMS：获取氧元素二维/三维空间分布图像。

高分辨率质谱法：区分氧与其他干扰峰。

能量过滤SIMS：排除干扰信号提高信噪比。

簇离子溅射：增强氧相关二次离子产额。

负离子检测模式：优化氧元素检测灵敏度。

正离子检测模式：用于氧化学态鉴定。

多变量统计分析：处理复杂氧分布数据。

标准样品校准法：建立氧含量定量曲线。

低温SIMS：减少氧扩散造成的假象。

原位加热SIMS：研究氧热动力学行为。

聚焦离子束（FIB）-SIMS联用：微区氧分析。

检测仪器

飞行时间二次离子质谱仪，离子枪系统，高灵敏度二次离子探测器，超高真空样品室，电子中和枪，液态金属离子源，气体团簇离子源，能量分析器，时间数字转换器，脉冲电子提取器，样品冷却台，样品加热台，聚焦离子束装置，质谱数据处理工作站，二次离子光学透镜系统

荣誉资质

北检院部分仪器展示