信息概要

半导体器件过氧化氢残留检测是针对半导体制造过程中使用的过氧化氢（H₂O₂）残留量进行的专业检测服务。过氧化氢在半导体清洗、蚀刻等工艺中广泛应用，但其残留可能对器件性能、可靠性及长期稳定性造成严重影响。通过精准检测过氧化氢残留量，可确保半导体器件的质量符合行业标准，避免因残留导致的腐蚀、短路或性能退化等问题。本检测服务覆盖多种半导体器件类型，提供高灵敏度、高准确性的分析报告，助力企业优化生产工艺并提升产品良率。

检测项目

过氧化氢残留浓度，检测样品中过氧化氢的具体含量。

pH值，评估样品溶液的酸碱度对残留的影响。

电导率，反映溶液中离子浓度与过氧化氢残留的关联性。

氧化还原电位，判断过氧化氢的化学活性状态。

总有机碳（TOC），分析有机污染物与过氧化氢的相互作用。

金属离子含量，检测铜、铁等金属离子对残留的催化作用。

氯离子浓度，评估氯离子对过氧化氢稳定性的影响。

硫酸根离子浓度，检测硫酸盐残留与过氧化氢的共存情况。

硅含量，分析硅基材料与过氧化氢的反应产物。

颗粒物数量，评估颗粒物对过氧化氢残留的吸附作用。

表面张力，研究清洗液表面特性与残留的关系。

挥发性有机物（VOCs），检测可能影响过氧化氢分解的有机物。

紫外吸光度，通过紫外光谱定量过氧化氢浓度。

荧光强度，评估荧光标记法检测过氧化氢的灵敏度。

溶解氧含量，分析溶解氧与过氧化氢残留的关联。

粘度，研究溶液粘度对残留检测的影响。

浊度，评估溶液浑浊度对光学检测法的干扰。

密度，测量溶液密度以辅助浓度计算。

沸点，分析高温环境下过氧化氢的稳定性。

闪点，评估过氧化氢溶液的安全性能。

腐蚀性，测试过氧化氢残留对金属材料的腐蚀程度。

稳定性，研究过氧化氢在不同条件下的分解速率。

残留气体分析，检测工艺后残留的气态过氧化氢。

晶圆表面残留，专用于半导体晶圆的表面过氧化氢检测。

封装材料兼容性，评估过氧化氢残留对封装材料的影响。

电迁移效应，研究残留对器件电迁移可靠性的影响。

介电常数，分析过氧化氢残留对介质层性能的影响。

漏电流，评估残留导致的器件漏电风险。

击穿电压，测试残留对半导体器件耐压性能的影响。

热稳定性，研究高温工作环境下残留的分解行为。

检测范围

硅晶圆, 砷化镓晶圆, 碳化硅器件, 氮化镓器件, 集成电路芯片, 功率半导体, 传感器, MEMS器件, 光电器件, 封装材料, 引线框架, 焊球, 导电胶, 绝缘层, 钝化层, 金属互连层, 介电层, 衬底材料, 刻蚀掩膜, 光刻胶, 化学机械抛光垫, 清洗剂, 蚀刻液, 电镀液, 溅射靶材, 蒸发材料, 键合线, 封装树脂, 导热胶, 助焊剂

检测方法

滴定法，通过化学滴定定量测定过氧化氢浓度。

分光光度法，利用紫外-可见光谱分析过氧化氢吸光度。

电化学法，采用电极检测过氧化氢的氧化还原反应。

气相色谱法，分离并检测气态过氧化氢或其衍生物。

高效液相色谱法，用于复杂基质中过氧化氢的分离检测。

离子色谱法，分析过氧化氢分解产生的离子产物。

质谱法，提供高灵敏度的过氧化氢分子量鉴定。

荧光分析法，利用荧光探针标记检测痕量过氧化氢。

化学发光法，基于过氧化氢参与的发光反应进行检测。

X射线光电子能谱（XPS），分析表面过氧化氢化学状态。

原子吸收光谱法，检测金属催化剂对过氧化氢的影响。

红外光谱法，研究过氧化氢分子振动特征峰。

拉曼光谱法，提供过氧化氢分子结构的指纹信息。

动态光散射法，评估过氧化氢对纳米颗粒分散性的影响。

zeta电位测试，研究过氧化氢对表面电荷特性的改变。

热重分析法，测定过氧化氢的热分解特性。

差示扫描量热法，分析过氧化氢分解的热力学行为。

表面等离子体共振（SPR），实时监测表面过氧化氢吸附。

椭偏仪测量，用于薄膜中过氧化氢残留的非破坏性检测。

接触角测试，评估过氧化氢对材料表面润湿性的影响。

检测仪器

紫外可见分光光度计, 电化学分析仪, 离子色谱仪, 气相色谱仪, 高效液相色谱仪, 质谱仪, 荧光分光光度计, 化学发光检测仪, X射线光电子能谱仪, 原子吸收光谱仪, 红外光谱仪, 拉曼光谱仪, 动态光散射仪, zeta电位分析仪, 热重分析仪

荣誉资质

北检院部分仪器展示