半导体器件封装烧蚀检测
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信息概要
半导体器件封装烧蚀检测是针对电子封装材料在高温、高压或极端环境下发生的材料退化现象进行的专业分析服务。该检测通过评估封装结构的物理化学变化,对器件可靠性、安全寿命及失效风险进行精准预判。在航空航天、新能源汽车、工业控制等高可靠性领域,该检测是预防因封装失效导致的系统崩溃、火灾隐患的关键质量保障手段,直接影响产品的市场准入认证与使用寿命。
检测项目
封装表面碳化程度评估,检测高温导致的有机物碳化沉积状况
熔融区域形貌分析,识别材料过热熔融后的结构变化特征
金属引线框架氧化层厚度,测量导线表面氧化腐蚀深度
环氧树脂热分解率,量化树脂材料在高温下的质量损失比例
焊球界面金属间化合物,分析焊接点合金层的成分扩散情况
封装体翘曲变形量,测量热应力导致的立体结构形变程度
金线键合点断裂强度,评估导线连接点的机械完整性
塑封料玻璃化转变温度,确定材料热性能的临界点变化
离子迁移通道检测,定位电解质在电场下的金属迁移路径
热扩散系数测定,计算材料内部的热传导效率参数
烧蚀坑深度剖面测绘,建立三维烧蚀区域的空间模型
有机挥发物成分色谱,识别分解产生的气态污染物种类
锡须生长密度统计,量化电极表面的晶须生长风险
分层缺陷超声波扫描,探测内部材料的分层剥离现象
介电强度衰减率,测量绝缘材料的高压耐受能力退化
热重-差热同步分析,同步获取物质质量与热量变化曲线
元素表面分布成像,绘制材料成分的空间分布图谱
残余应力分布检测,分析封装体内应力集中区域
潮湿敏感等级验证,确定材料吸湿后的热冲击耐受性
红外热成像定位,捕捉异常发热点的温度分布
电迁移加速寿命,模拟电流负载下的材料迁移速率
材料硬度梯度变化,测试烧蚀区域的微观硬度演变
气密封装泄漏率,检测金属陶瓷封装的气密性指标
X射线焊缝完整性,透视焊接部位的内部缺陷
离子污染浓度,测量可溶性离子的残留量级
荧光渗透裂纹,显示表面微裂纹的扩展网络
热机械疲劳循环,评估冷热循环下的结构耐久性
介电常数漂移,监控绝缘材料电气性能变异
电化学迁移倾向,评估不同湿度下的枝晶生长风险
材料逸气成分分析,鉴定真空环境释放的气体组分
检测范围
QFP封装,LGA封装,BGA封装,QFN封装,SIP模块,SOP芯片,DFN元件,PLCC器件,陶瓷DIP,金属CAN,Flip Chip,晶圆级封装,功率模块,光电器件,MEMS传感器,COB模块,TSV三维封装,PoP堆叠封装,FCBGA,引线框架,EMC塑封料,底部填充胶,导热界面材料,焊锡合金,金丝键合线,铜柱凸点,陶瓷基板,环氧模塑料,硅胶灌封剂,热解石墨片
检测方法
扫描电子显微镜(SEM)分析法,通过电子束扫描获取微米级表面形貌特征
能量色散X射线光谱(EDX),实现材料成分的定性和半定量分析
显微红外光谱(μ-FTIR),检测有机材料分子键的化学结构变化
超声波扫描成像(SAT),利用声波反射原理探测内部空洞与分层
X射线光电子能谱(XPS),分析材料表面元素的化学价态信息
热机械分析(TMA),测量材料在温度变化下的尺寸稳定性
动态热机械分析(DMA),表征材料的粘弹性与相变行为
微区X射线衍射(μ-XRD),识别局部区域的晶体结构相变
激光共聚焦显微镜,建立三维表面形貌的数字化模型
气相色谱-质谱联用(GC-MS),分离鉴定挥发性热解产物
原子力显微镜(AFM),纳米级分辨率下观测表面粗糙度演变
离子色谱(IC),定量分析可水解卤素等污染物含量
热反射法导热测试,测量薄膜材料的热扩散系数
红外热成像技术,实时监测通电状态下的温度场分布
聚焦离子束(FIB)切片,制备特定位置的纳米级截面样品
毛细管流变测试,表征熔融状态下的材料流动特性
电迁移加速试验,施加高电流密度模拟多年使用损耗
湿度敏感等级(MSL)测试,验证吸湿后的抗爆裂能力
高温存储寿命试验,评估材料在长期热环境下的稳定性
温度循环冲击测试,考察急速冷热交变下的机械失效
检测仪器
场发射扫描电镜,显微红外光谱仪,X射线衍射仪,超声波扫描显微镜,热重分析仪,差示扫描量热仪,动态热机械分析仪,原子力显微镜,X射线光电子能谱仪,离子色谱仪,激光共聚焦显微镜,气相色谱质谱联用仪,高低温循环试验箱,微欧姆电阻测试仪,红外热像仪
荣誉资质
北检院部分仪器展示