信息概要

完好硅片表面电阻测试是半导体材料检测中的关键项目，主要用于评估硅片表面的电学特性，如电阻值和均匀性。该检测对于确保半导体器件的性能和可靠性至关重要，能够帮助制造商优化工艺，提高产品良率。概括来说，检测包括电阻测量、均匀性分析和稳定性评估等。

检测项目

表面电阻值，电阻均匀性，电阻温度系数，电阻稳定性，表面粗糙度，杂质浓度，载流子浓度，迁移率，击穿电压，漏电流，薄层电阻，方块电阻，电阻率，电导率，霍尔系数，击穿场强，界面态密度，氧化层厚度，表面电势，平带电压，阈值电压，亚阈值摆幅，栅极漏电流，源漏电阻，接触电阻，串联电阻，并联电阻，电压系数，频率响应，噪声系数，均匀性指标，重复性指标，稳定性指标，可靠性指标，寿命测试参数

检测范围

单晶硅片，多晶硅片，非晶硅片，外延硅片，抛光硅片，研磨硅片，太阳能级硅片，集成电路级硅片，功率器件硅片，传感器硅片，n型硅片，p型硅片，本征硅片，轻掺杂硅片，重掺杂硅片，100晶向硅片，111晶向硅片，110晶向硅片，2英寸硅片，4英寸硅片，6英寸硅片，8英寸硅片，12英寸硅片，18英寸硅片，厚度100μm硅片，厚度200μm硅片，厚度300μm硅片，双面抛光硅片，单面抛光硅片，粗糙表面硅片，光滑表面硅片，高阻硅片，低阻硅片，中阻硅片，砷掺杂硅片，磷掺杂硅片，硼掺杂硅片

检测方法

四探针法：使用四个探针接触样品表面，测量电压和电流来计算电阻率。

范德堡法：通过测量不同方向的电阻值，适用于各向异性材料。

霍尔效应测试：施加磁场测量霍尔电压，用于确定载流子浓度和迁移率。

电容-电压法：通过测量电容随电压的变化，分析界面特性和掺杂分布。

电流-电压法：测量电流与电压关系，评估器件性能。

阻抗谱法：分析阻抗随频率变化，研究材料电学性质。

扫描探针显微镜法：使用探针扫描表面，获得高分辨率电学图像。

原子力显微镜法：通过探针与表面相互作用，测量形貌和电学性能。

扫描隧道显微镜法：基于量子隧道效应，观察表面原子结构。

椭圆偏振法：测量光偏振变化，用于薄膜厚度和光学常数分析。

X射线光电子能谱法：用X射线激发光电子，分析表面化学成分。

二次离子质谱法：通过溅射离子，检测表面元素分布。

俄歇电子能谱法：分析俄歇电子，获得表面元素信息。

透射电子显微镜法：使用电子束穿透样品，观察内部结构。

扫描电子显微镜法：扫描电子束，获得表面形貌图像。

检测仪器

四探针测试仪，霍尔效应测试系统，阻抗分析仪，半导体参数分析仪，原子力显微镜，扫描电子显微镜，透射电子显微镜，X射线衍射仪，椭圆偏振仪，二次离子质谱仪，俄歇电子能谱仪，探针台，信号发生器，示波器，万用表，源测量单元，锁相放大器，网络分析仪，表面轮廓仪

荣誉资质

北检院部分仪器展示